| 型号：IPD14N06S2-80 | 类别：FET - 单 | 制造商：Infineon Technologies |
| 封装：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | 描述：MOSFET N-CH 55V 17A TO252-3 | |
详细参数
| 类别 | FET - 单 |
|---|---|
| 描述 | MOSFET N-CH 55V 17A TO252-3 |
| 系列 | OptiMOS™ |
| 制造商 | Infineon Technologies |
| FET型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET特点 | 标准 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 55V |
| 电流_连续漏极（Id）0a025000C | 17A |
| 开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C | 80 毫欧 @ 7A，10V |
| Id时的Vgs（th）111最大222 | 4V @ 14µA |
| 闸电荷（Qg）0a0Vgs | 10nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）0a0Vds | 293pF @ 25V |
| 功率_最大 | 47W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装 | PG-TO252-3 |
| 包装 | 带卷 (TR) |
供应商
| 北京元坤国际科技有限公司 | 何小姐086-010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791 |
| 辉华拓展 | 杨泽鹏0755-83202411 |
| 深圳市芯脉实业有限公司 | 周19166203057 |
| 深圳市裕硕科技有限公司 | 雷小姐086-0755-23613962/82706142 |
| 深圳市向鸿伟业电子有限公司 | 李先生0755-82561519 |
| 深圳市华创欧科技有限公司 | 朱先生086-0755-23945755 83248872 |
| 深圳瞄钧科技有限公司 | 张小姐 李小姐0755-82727462 /83794860 |
| 深圳市鑫晟源电子科技有限公司 | 赖0755-83538837 |
| 深圳市芯脉实业有限公司 | 骆0755-84507209 |
| 现代芯城（深圳）科技有限公司 | 董0755-82542579 |
IPD14N06S2-80相关型号
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逻辑 - 锁销
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PMIC - 电压基准
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SC-74A，SOT-753
IC VREF SHUNT PREC 5V SOT-23-5
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FET - 单
Infineon Technologies
TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
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20-SSOP（0.154＂，3.90mm 宽）
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IC VREF SHUNT PREC 5V SOT-23-5
- LM358M
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IC FIFO 16384X18 7-5NS 100BGA
- IDT74FCT574CTSOG8
逻辑 - 触发器
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20-SOIC（0.295＂，7.50mm 宽）
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- IPD160N04L G
FET - 单
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TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
MOSFET N-CH 40V 30A TO252-3
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*
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8-SOIC（0.154＂，3.90mm 宽）
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- IDT72V273L7-5BCGI8
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100-LBGA
IC FIFO 16384X18 7-5NS 100BGA
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20-SOIC（0.295＂，7.50mm 宽）
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- IPD20N03L G
FET - 单
Infineon Technologies
TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
MOSFET N-CH 30V 30A DPAK
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Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps
Texas Instruments
*
IC AMP HI SPD LOW PWR V FB 8-DIP
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时钟/计时 - 时钟发生器，PLL，频率合成器
IDT, Integrated Device Technology Inc
8-SOIC（0.154＂，3.90mm 宽）
IC CLOCK GENERATOR LOW EMI 8SOIC
- IDT70V07L55PF
存储器
IDT, Integrated Device Technology Inc
80-LQFP
IC SRAM 256KBIT 55NS 80TQFP
